比亚迪igbt芯片是什么水平(怎么区分mos管与IGBT管)
比亚迪igbt芯片是什么水平
1.IGBT_insulated gate bipolar transisitor,释义为绝缘栅双极晶体管;在电驱领域所谓的IGBT芯片一般指模块,其概念与结构特点需要以非常专业的术语进行解析,相信99%的读者并非此专业所以不再赘述。简而言之IGBT的作用很简单,指控制驱动系统的直流与交流电切换的效率,只要效率足够高且足够稳定则能大大提升驱动电机(电车发动机)的扭矩,扭矩的提升会增加平均0~15000转的全转速区间输出功率(马力)。
2.IGBT芯片对于电动汽车而言是两大核心之一,第一核心总成众所周知为动力电池组,电动汽车想要实现高性能或者理想的续航与运行稳定性,电芯的主要元素与元素比例以及放电效率等参数有直接影响;但如果电芯成组后的水平很高,但是没有优秀的IGBT芯片与模块控制直交流转化,电池组则无法发挥最强功效,同时也会因传输损耗过大造成续航里程的下滑。
3.于是IGBT芯片也是非常重要的核心总成,是电动汽车电控电机系统的核心(CPU);且车辆不仅电驱系统需要优秀的IGBT,同时空调系统、温控系统以及高压充电系统都需要该芯片控制。所以如车辆有优秀的IGBT芯片可用,汽车的综合性能与综合能耗表现都会大大提升。不过并不是所有的车企都能使用高标准芯片,原因参考第二节。
4.目前中企能够制造IGBT芯片的企业只有两家,第一家是制造高铁的中国中车集团,电驱的轨道交通同样需要优秀的IGBT模块,而中国高铁驰名全球。第二家则是同样具备轨道交通业务,同时覆盖商用与乘用汽车的比亚迪集团。中车集团不生产汽车,那么结论则是全国唯一有IGBT生产能力的车企只有比亚迪;然而实际情况更夸张,因为全球范围内也只有比亚迪一家车企具备这一能力。
怎么区分mos管与IGBT管
1.IGBT管的工作原理同场效应晶体管(通常称为MOSFET管)相似,IGBT管的G为栅极,C为集电极,E为发射极。IGBT相对于三极管,场管有很多特殊的地方。以H20R1203为例,
2.它是一个最常用的一个IGBT管的一种。这种结构的管基本上80%带有阻尼二极管,使用中带阻尼IGBT管可以代换不带阻尼的IGBT管使用。IGBT管可以理解为大功率的三极管、MOS管的一种复合体,或者说是组合体(但是不是简单的组合,而是加了多层半导体材料所形成的)形成的新型电压驱动元器件。IGBT管继承了MOS场管的高阻抗和三极管的高反压的优点。
3.确定三个电极(此时假定管子是好的)。先确定栅极G。将万用表拨在Rx10k挡,若测量到某一极与其他两极电阻值为无穷大,调换表笔后测得该极与其他两极的电阻值仍为无穷大,则可判断此极为栅极(G)。再测量其余两极。
4.确定管子的好坏。将万用表拨在Rx 10 k挡,用黑表笔接C极,红表笔接E极,此时万用表的指针在零位,用手指同时触及一极下G和C极,万用表的指针摆向电阻值较小的方向(IGBT被触发导通),并指示在某一位置;再用手指同时触及一下G极和E极,万用表的指针回零(IGBT被阻断),即可判断IGBT是好的。
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